Hynix демонстрирует первый 128-гигабайтный модуль ОЗУ DDR4
Южнокорейский поставщик полупроводниковой памяти SK Hynix стал очередным производителем, который добавил в свой ассортимент оперативную память стандарта DDR4.
Оперативка нового поколения с удвоенной скоростью передачи данных, если верить прогнозам, может поступить на прилавки розничных точек в конце текущего или начале следующего года.
Возвращаясь к анонсу компании SK Hynix, отметим, что если Micron and A-Data накануне представили планки оперативной памяти DDR4 емкостью максимум 8 Гбайт, корейский разработчик заявил о готовности предложить заказчикам планки номиналом 64 и даже 128 Гбайт.
Модули SK Hynix основываются на фирменных чипах памяти производителя емкостью 8 Гбайт, которые базируются на технологических нормах 20 нм. Для производства новинок разработчик применил трехмерную компоновку чипов, известную под названием Through Silicon Via, что позволило вдвое увеличить плотность их расположения в сравнении с предыдущими поколениями. Также такой подход позволяет снизить рабочее напряжение и увеличить пропускную способность чипов.
Начальник отдела развития SK Hynix сообщил, что модули памяти работают на частоте 2133 МГц, смогут обрабатывать данные по 64-битной шине со скоростью 17 Гбит/с и имеют рабочее напряжение всего 1,2 В. Массовое производство модулей Hynix DDR4 128 Гбайт стартует в начале 2015 года.